Ультрафиолет поможет создать полупроводники нового типа

Исслeдoвaниe учeныx Нaциoнaльнoй лaбoрaтoрии вoзoбнoвляeмoй энeргии (NREL) при Министeрствe энeргeтики США открывает путь к разработке полупроводников нового поколения.

Обычно при создании полупроводников материалы для них выбираются на   основании схожести кристаллической структуры, параметров решетки и   коэффициента теплового расширения. Благодаря этому обеспечивается безошибочное взаимодействие между слоями и   высокая производительность устройства. Однако способность использовать несовпадающие классы полупроводников сможет открыть дополнительные возможности для появления новой электроники. Правда, только в   том случае, если границы между ними будут правильным образом подогнаны.

В   ходе экспериментов с   разнородными полупроводниками Кван-Вук Парк и   Кирстин Альбери установили, что ультрафиолет, направленный точно на   поверхность полупроводника во   время роста гетероструктуры, может изменить взаимодействие между двумя слоями, пишет Phys.org.

Ученые применили этот подход в   опытной модели, состоящей из   слоя селенида цинка, выращенного поверх слоя арсенида галлия. Меняя интенсивность освещения поверхности (для этого была использована ксеноновая лампа в   150   ватт) и   другие условия, они определили механизмы формирования границ и   обнаружили, что ультрафиолет меняет химические связи на   поверхности арсенида галлия, что приводит к   появлению большего числа связей между галлием и   селением.

«Реальное значение этой работы в   том, что теперь мы   понимаем, как свет воздействует на   образование границ. В   будущем это может привести ученых к   интеграции разнообразных полупроводников»,   — говорит   Парк.

Ученые Стэнфорда смогли в   10   раз уменьшить кремниевые транзисторы, добавив 2   сверхтонких полупроводника из   диселенида гафния и   диселенида циркония, толщиной всего три атома. Таким образом они надеются продлить действие закона   Мура.

Фото: NREL

Комментирование и размещение ссылок запрещено.

Комментарии закрыты.