Кoмпaния SK Hynix пeрвoй нa рынкe прeдстaвилa микрoсxeмы пaмяти DDR5 плoтнoстью 24 Гбит.
Новые микросхемы будут вырабатываться по техпроцессу 1anm, который представляет на вывеску четвёртое поколение 10-нанометрового техпроцесса и подразумевает исчерпание EUV-литографии.
Hynix говорит о улучшенной производственной эффективности, бери 33% большей скорости и получи и распишись 25% меньшем энергопотреблении. Самое важное — новые микросхемы позволяют составлять модули памяти объёмом 48 и 96 ГБ. То есть такие решения первыми получат новые микросхемы, хотя, само собой, это продукт для ЦОД, а не на потребительского сегмента.
Кроме того, подобные модули будут ориентированы возьми высокопроизводительные серверы для обработки больших данных, работы с ИИ и яко далее.
